最初のパスで、このテストは各メモリセルのアドレスをそのセル自体に書き込みます。 2番目のパスでは、アドレスが読み取られて検証され、アドレス空間の一意性が保証されます。

このテストは4回合格します。最初はパターンを書き込みます（実行ごとに異なります）。 2番目のパスは、パターンの読み取り/検証と元のパターンの逆の書き込みを行い、残りの2つのパスについて繰り返します。これにより、隣接ビットの感度がチェックされます。これは、変更されているアドレス以外のアドレスが影響を受ける状況です。

このテストでは、メモリを6回通過することで構成される複雑なアルゴリズムを使用します。最初の3つのパスでメモリ内を上方向に移動し、0または1のいずれかを書き込みおよび読み取り/検証します。次の2つのパスは下に移動し、1と0を再度（または）読み取り/書き込みします。最終パスはどちらの方向にも進むことができ、最後の書き込みが成功したことを確認します。このテストは、アドレス障害、カップリング障害、スタックアット障害、スタックオープン障害、および遷移障害を検出します。

このテストでは、最初に一連の乱数をメモリに書き込みます。次に、2番目のパスで、初期パターンが検証されます。ランダムな値でテストすると、断続的な問題を見つけるのに役立ちます。このテストは、近隣パターンの感度をチェックするのにも役立ちます。複数回の実行で、温度感度を特定するのに役立ちます。

このテストは、ソリッドビットパターンをメモリに書き込みます（たとえば、すべて1）。初期パターンがチェックされてから補完され（すべて0に切り替えられ）、再度チェックされます。これにより、すべてのアドレスが読み取りと書き込みの両方であることが確認されます。

このテストは、101パターンを0のフィールドに移動します。このテストでは、0が予想される1を探すことにより、隣接するセルの変化を検出します。

ビットパターン00000001から、各メモリセルの書き込みと読み取りを行ってパターンを確認します。 1を1つのアドレスだけ移動してから、位置ごとにテストを繰り返します。このテストは、各ビットが隣接ビットと反対の値を維持できることを確認します。これは、ワード内結合障害と呼ばれます。また、スタックしたアドレスの障害を見つけることもできます。

ウォーキングゼロの逆。 11111110のパターンが開始パターンであり、0はメモリ内を移動します。ワード内結合障害およびスタックアドレス障害の検出に役立ちます。

ウォーキングワンとゼロを交互の10101010パターンと組み合わせます。テストがメモリ内を移動すると、各ビット（1または0）がその補数に変更され、パターンが壊れていないことを確認します。このテストは、ワード内結合障害およびスタックアドレス障害の検出にも役立ちます。

このテストは、WalkingOnesおよびZerosテストに似ています。それは、1または0のいずれかのフィールドを介して徹底的な一連のパターンを移動します。ワード内結合障害の特定に加えて、RAMが近隣パターンの感度の影響を受けやすいかどうかを検出するのにも役立ちます。